1. 全球多晶硅產(chǎn)能產(chǎn)量快速增長

過去 10 年，全球多晶硅每年產(chǎn)能產(chǎn)量均實現(xiàn)快速增長，據(jù) CPIA 數(shù)據(jù)，產(chǎn)能 由 2011 年 28.3 萬噸，增至 2021 年 67.1 萬噸，復(fù)合增速達(dá) 9%；產(chǎn)量由 2010 年 16 萬噸年產(chǎn)量，增至 2021 年 63 萬噸，復(fù)合增速達(dá) 13%。全球多晶硅產(chǎn)能產(chǎn)量的 快速增長更多受益于中國的增產(chǎn)，中國多晶硅產(chǎn)能由 2011 年 16 萬噸增至 2021 年 51.9 萬噸，復(fù)合增速達(dá) 12%；產(chǎn)量由 2010 年 5.2 萬噸增至 2021 年 50.5 萬噸， 復(fù)合增速達(dá) 23%，增速遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)行業(yè)。中國產(chǎn)量占比由 2010 年的 33%增至 2021 年的 80%，成為全球絕對意義的多晶硅主產(chǎn)國。 從開工率角度來看，中國產(chǎn)能產(chǎn)量在全球的份額逐步走高，全球開工率與中 國開工率愈發(fā)趨同。隨著下游光伏產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，近幾年多晶硅開工率始終維 持較高位置，在雙碳政策引導(dǎo)下，2021 年國內(nèi)開工率升至 97%，多晶硅的緊俏程 度可見一斑。

2. 我國多晶硅產(chǎn)能產(chǎn)量主要集中在西北地區(qū)，且產(chǎn)業(yè)集中度高

從區(qū)域分布來看，截至 2021 年底，我國多晶硅產(chǎn)能主要分布在新疆、江蘇、 內(nèi)蒙和四川，分別占國內(nèi)總產(chǎn)能的 47%、14%、12%和 11%，四省產(chǎn)能合計占比 84%。 我國多晶硅產(chǎn)量主要分布在新疆、內(nèi)蒙、四川和江蘇，分別占比 55%、14%、11 和 9%，四省合計產(chǎn)量占比 89%，呈現(xiàn)生產(chǎn)地域較集中的特點，主要原因是當(dāng)?shù)仉妰r 較低，同時與其原料工業(yè)硅產(chǎn)地靠近。

我國多晶硅企業(yè)集中度極強，從企業(yè)分布來看，截至 2022 年 5 月，產(chǎn)能排名 前 9 的企業(yè)合計產(chǎn)能達(dá)國內(nèi)總產(chǎn)能的 87%。但需要注意的是，多家公司開始涌入 多晶硅賽道，未來 4 年投產(chǎn)計劃顯示多晶硅供應(yīng)將快速增加，行業(yè)集中度可能下 滑。常規(guī)來看，多晶硅產(chǎn)能建設(shè)周期約 12-18 個月，產(chǎn)能爬坡周期約 3-6 個月， 整體擴產(chǎn)周期長于下游環(huán)節(jié)，經(jīng)調(diào)研顯示，多晶硅生產(chǎn)有著極高的技術(shù)門檻，技 術(shù)人才的匱乏也是導(dǎo)致很多企業(yè)投產(chǎn)進(jìn)度不及預(yù)期的重要原因之一，所以投產(chǎn)計 劃的可落地性仍待進(jìn)一步跟蹤觀測。（報告來源：未來智庫）

3. 多晶硅生產(chǎn)工藝、冶煉成本及利潤

目前多晶硅生產(chǎn)主要使用三氯氫硅法，也就是改良西門子工藝，其次是硅烷 流化床法。根據(jù) CPIA 數(shù)據(jù)，我國 2020 年三氯氫硅法生產(chǎn)占比 98%，硅烷法生產(chǎn) 僅占比 2%。

目前流化床顆粒硅工藝有逐步普及的勢頭，根據(jù) CPIA 數(shù)據(jù)，2021 年硅烷法 顆粒硅產(chǎn)能和產(chǎn)量小幅增加，顆粒硅市占率有所上漲，同比提升了 1.3 個百分點， 達(dá)到 4.1%，棒狀硅占 95.9%，未來顆粒硅市場占有率將逐步提升。其主要優(yōu)勢是 電耗低，據(jù)硅業(yè)分會數(shù)據(jù)，硅烷流化床法直接電耗為西門子法的 10%，綜合電耗 為西門子法的 1/3；其次顆粒硅無需破碎，可以直接拉晶使用，能填補硅塊空隙， 提高坩堝裝填量，進(jìn)而提高拉晶產(chǎn)出；顆粒硅大小形狀比較均勻，熔化時對拉晶 爐熱場擾動小，是重復(fù)直拉單晶理想的復(fù)投，可以用機器自動加料或連續(xù)加料。 而缺點是硅料表面存在懸掛鍵，使得加料時易跳料，對爐壁壽命造成損傷；顆粒 硅比表面積大，易引入表面污染；硅烷生產(chǎn)存在安全隱患。隨著技術(shù)發(fā)展，顆粒 硅的弊端有望進(jìn)一步解決。

多晶硅生產(chǎn)環(huán)節(jié)包括電耗、水耗、蒸汽耗量、硅耗等。以西門子工藝為例， 據(jù) CPIA 報告，2021 年單爐致密料占比維持 70%-80%，多晶硅平均還原電耗較 2020 年下降 6.1%，為 46kWh/kg-Si。未來隨著氣體配比的不斷優(yōu)化、大爐型的投用和 穩(wěn)定生產(chǎn)、以及單晶廠家對于菜花料的試用，還原電耗仍將呈現(xiàn)持續(xù)下降趨勢， 到 2030 年還原電耗有望下降至 42kWh/kg-Si。目前流化床法還原電耗僅 3kWh/kgSi。

2021 年，冷氫化平均電耗在 4.7kWh/kg-Si 左右，同比下降 11.3%，到 2030 年有望下降至 4.1kWh/kg-Si 以下。技術(shù)進(jìn)步的手段包括反應(yīng)催化劑的開發(fā)、提 高工藝環(huán)節(jié)中熱能回收利用率、提高反應(yīng)效率等。 2021 年，多晶硅平均綜合電耗已降至 63kWh/kg-Si，同比下降 5.3%。未來隨 著生產(chǎn)裝備技術(shù)提升、系統(tǒng)優(yōu)化能力提高、生產(chǎn)規(guī)模增大等，預(yù)計至 2030 年有 望下降至 55kWh/kg-Si。目前硅烷流化床法顆粒硅綜合電耗較三氯氫硅法棒狀硅 低 40%-50%。預(yù)計到 2030 年，通過余熱利用降低蒸發(fā)量，精餾塔排出的物料再回 收利用降低殘液處理水耗等措施，可將耗水量控制在 0.09t/kg-Si 的水平。

2021 年，多晶硅平均水耗在 0.1t/kg-Si 的水平，同比下降 16.7%。新疆地 區(qū)氣候干燥，蒸發(fā)量大，水耗較行業(yè)平均值高。 2021 年企業(yè)蒸汽耗量均值為 18.4kg/kg-Si 左右，同比下降 20%，在新疆等 寒冷地區(qū)蒸汽耗量較其他地區(qū)高。隨著企業(yè)還原余熱利用率提升、提純、精餾系 統(tǒng)優(yōu)化等，2030 年企業(yè)蒸汽耗量將降至 8.8kg/kg-Si。因為西門子法還原溫度高， 利用熱能可生成較多蒸汽，外采蒸汽需求較低，目前甚至部分企業(yè)不需要外采蒸 汽，而硅烷流化床法蒸汽消耗約 20kg/kg-Si。 2021 年，硅耗在 1.09kg/kg-Si 水平，基本與 2020 年持平，且近 5 年變化 幅度不大。隨著氫化水平的提升，副產(chǎn)物回收利用率的增強，預(yù)計到 2030 年將 降低到 1.07kg/kg-Si。

百川盈孚數(shù)據(jù)，2022 年 5 月中旬，多晶硅總生產(chǎn)成本約為 6 萬元/噸，成本 受工業(yè)硅價格和電價影響權(quán)重較大，其中工業(yè)硅占比 43%，電費占比 28%，三氯氫硅用來模擬計算氯氣成本。但也要注意多晶硅行業(yè)生產(chǎn)利潤率達(dá)到 80%，這也是 驅(qū)動企業(yè)增產(chǎn)擴產(chǎn)的主要動力。

4. 多晶硅以進(jìn)口為主，但近年對外依存度下降

我國多晶硅以進(jìn)口為主，可以看到近年隨著國內(nèi)多晶硅產(chǎn)能不斷提升，2021 年中國多晶硅進(jìn)口 10.7 萬噸，同比增加 12.7%，2017 年-2021 年進(jìn)口復(fù)合增速為 -9.3%。目前國內(nèi)進(jìn)口占表觀消費比例已降至 20%以下。

1. 多晶硅消費量持續(xù)增長

2021 年中國多晶硅表觀消費量為 61.9 萬噸，同比增長 25%。 2018 年受下游 光伏行業(yè)“531”政策影響，光伏裝機下滑至 44.26GW，使得當(dāng)年多晶硅表觀消費 有所下降，但近年來隨著光伏組件成本下降，補貼退坡影響減弱，雙碳背景下新 增光伏裝機量不斷走高，帶動多晶硅消費維持高增速。

2. 多晶硅消費以光伏為主

根據(jù) CPIA 數(shù)據(jù)，2020 年太陽能級多晶硅消費占比 91%，故下游消費以光伏 行業(yè)為主。在多晶硅直接下游硅片生產(chǎn)中，因單晶硅片純度更高，轉(zhuǎn)化效率更高， 消費占比不斷走高，至 2020 年，單晶硅片占比已達(dá) 90%的水平。

3. 中性/樂觀情景下，2030 年全球多晶硅光伏需求或達(dá)到 67/113 萬噸

2021 年全球光伏新增 183GW，根據(jù) BP 預(yù)測，全球光伏在 2030 年有望增加至2500-3300GW。2021 年中國光伏新增 54.88GW，中國光伏 在 2030 年有望增加至 1025-1200GW。 在樂觀條件下，全球和中國在 2025 年光伏新增裝機量分別為 254GW、93GW，2030 年光伏新增裝機量分別為 329GW、121GW；在中性條件下，全球和中國在 2025 年 光伏新增裝機量分別為165GW、77GW，2030年光伏新增裝機量分別為194GW、91GW。 根據(jù)光伏裝機量與光伏組件容配比 1.2 和每萬噸硅料對應(yīng) 3.5GW 光伏組件計 算，2025 年全球光伏多晶硅在樂觀和中性條件下分別需求 87 萬噸和 57 萬噸， 2030 年光伏多晶硅在樂觀和中性條件下分別需求 113 萬噸和 67 萬噸。

1. 供應(yīng)端預(yù)測：2030 年中國/全球多晶硅產(chǎn)量或達(dá)到 360/373 萬噸

根據(jù)投產(chǎn)計劃能夠正常投產(chǎn)落地、年新增產(chǎn)能對應(yīng)半年產(chǎn)量和已存產(chǎn)能維持 90%的高開工率假設(shè)，預(yù)計至 2025 年，中國年產(chǎn)量達(dá) 318.4 萬噸，海外產(chǎn)能預(yù)期 不變，則全球年產(chǎn)量達(dá) 331.4 萬噸。2025 年-2030 年，在產(chǎn)能過剩的背景下，假 定無新增產(chǎn)能產(chǎn)量，而開工率維持不變，則中國年產(chǎn)量將達(dá) 360 萬噸，全球年產(chǎn) 量將達(dá) 373 萬噸。 基于原料工業(yè)硅行業(yè)的快速投產(chǎn)，預(yù)期 2025 年工業(yè)硅產(chǎn)能可達(dá) 650 萬噸， 另外 2021 年工業(yè)硅行業(yè)開工率僅為 65%，仍有提升空間，多晶硅的預(yù)期產(chǎn)出完全 可實現(xiàn)。預(yù)計多晶硅在工業(yè)硅消費中的占比將從當(dāng)前的 28%提升至 2025 年的 52%， 光伏對于工業(yè)硅定價的邊際影響力增強。

在國內(nèi)快速擴產(chǎn)的背景下，多晶硅進(jìn)口將集中在高純度的電子級多晶硅，數(shù)量較小，可忽略不計?；诩僭O(shè)，在海外此前能夠保持出口的沿革下，光伏級多 晶硅沒有進(jìn)口需求，而是以下游硅片進(jìn)口需求代替。所以進(jìn)出口影響對多晶硅供 需影響將極少。

2. 基于終端的需求預(yù)測：中性/樂觀情景，2030 年多晶硅消費量或達(dá)到 74/121 萬噸

從終端光伏裝機和半導(dǎo)體行業(yè)來看，多晶硅行業(yè)已經(jīng)進(jìn)入產(chǎn)能過剩周期。根 據(jù)我們對于未來光伏新增裝機的預(yù)測，以及基于 FortuneBusiness 預(yù)測未來半導(dǎo) 體行業(yè)的復(fù)合增長率 8.6%來計算： 樂觀情境下，至 2025 年，全球和中國消費量將分別增至 92 萬噸和 32 萬噸， 至 2030 年，全球和中國消費量將分別增至 121 萬噸和 42 萬噸。 中性情境下，至 2025 年，全球和中國消費量將分別增至 62 萬噸和 26 萬噸， 至 2030 年，全球和中國消費量將分別增至 74 萬噸和 31 萬噸。

3. 基于硅片的需求預(yù)測：2023 年開始全球和中國多晶硅均過剩

2021 年至今，多晶硅仍表現(xiàn)供不應(yīng)求，其真正原因是下游硅片產(chǎn)能的高速擴 張所帶來的階段性需求。我們以預(yù)測的一種硅片產(chǎn)量發(fā)展的情景進(jìn)行分析，即下 文硅片中的第二種假設(shè)情況，若 2022 年硅片產(chǎn)量 475GW，產(chǎn)量過剩 210GW；2023 年硅片產(chǎn)量減產(chǎn)至 100GW，基本可以抵消 2022 年過剩產(chǎn)量；2024 年產(chǎn)量恢復(fù)至 310GW，以后每年產(chǎn)量遞增 10GW，至 2030 年硅片產(chǎn)量 370GW，每 GW 硅片需 0.3 萬 噸多晶硅計算，2023 年開始全球和中國多晶硅均過剩。（報告來源：未來智庫）

1. 全球硅片產(chǎn)能急劇擴張

光伏行業(yè)快速增長，帶動全球硅片產(chǎn)能的急劇擴張，國內(nèi)硅片產(chǎn)能占全球產(chǎn) 能比例逐年提高，由 2017 年國內(nèi)硅片產(chǎn)能占比 87%提升至 2020 年 97%；全球硅 片產(chǎn)能逐步擴張，由 2017 年 120GW 擴張至 2020 年 260GW 左右。市場普遍預(yù)測， 2021-2022 年國內(nèi)硅片產(chǎn)能占全球比例仍在 97%以上，按 97%保守計算，2022 年 全球產(chǎn)能在 620GW 左右。

2. 我國硅片產(chǎn)能集中度高，產(chǎn)量已達(dá)到 227GW

2021 年我國硅片產(chǎn)量 227GW，硅片產(chǎn)能 400GW(CPIA)。2022 年國內(nèi)產(chǎn)能將進(jìn) 一步擴張，隆重咨詢預(yù)計產(chǎn)能將擴充至 600GW 以上。最近五年，硅片產(chǎn)能以 31% 的年復(fù)合增長率擴張，硅片產(chǎn)量以 20%的年復(fù)合增長出貨，主要受多晶硅原料供 給的影響，硅片廠設(shè)備產(chǎn)能沒有充分利用，硅片廠實際產(chǎn)能利用率由2018年71%， 遞減至 2021 年的 57%，平均產(chǎn)能利用率 67%。 國內(nèi)硅片產(chǎn)能較為集中，2018 至 2020 年 CR5 由 68.6%逐年遞增至 88.1%，受 下游組件廠與硅片輔材廠產(chǎn)業(yè)鏈延伸的影響，2021 年硅片行業(yè) CR5 回落至 84%， 隆基、中環(huán)在硅片行業(yè)產(chǎn)能排名前二。

3. 硅片產(chǎn)能建設(shè)周期 2 年以內(nèi)，投資成本持續(xù)下降

硅片環(huán)節(jié)資本密集，技術(shù)含量相比光伏電池低，新入場企業(yè)可直接采用現(xiàn)有 技術(shù)和裝備，大大縮短產(chǎn)線建設(shè)周期。據(jù)隆重咨詢調(diào)研，某公司建設(shè)年產(chǎn) 50GW 大 尺寸單晶硅片項目，從項目立項-采購設(shè)備-簽訂建筑外包合同-首期點火投產(chǎn)，僅 用四個月左右時間。其次，新建硅片廠若需場地平整、廠房建設(shè)，整個流程形成 有效產(chǎn)能需要 1.5-2 年。 2020 年投資單晶硅片產(chǎn)能投資額：單晶爐約 1.4 億元/GW，切片設(shè)備約 0.4 億元/GW，機器加工設(shè)備 0.3 億元/GW，其他設(shè)備約 0.2 億元/GW，合計設(shè)備投資 2.3 億元/GW。其中，單晶爐價值占比 60%，切片設(shè)備價值占比 13%。

硅片投資成本下降。隨著單晶市場份額增加以及生產(chǎn)技術(shù)的進(jìn)步，單晶設(shè)備 投資成本呈現(xiàn)下降趨勢；切片環(huán)節(jié)設(shè)備成本也呈現(xiàn)逐年下降趨勢。2021 年拉棒環(huán) 節(jié)（主要生產(chǎn)單晶硅）、鑄錠環(huán)節(jié)（主要生產(chǎn)多晶硅）單位產(chǎn)能設(shè)備投資額分別為 5.3 萬元/噸和 2.0 萬元/噸，較 2020 年均有小幅下降。隨著單晶拉棒技術(shù)進(jìn)步與 設(shè)備智能化的提高，設(shè)備投資呈現(xiàn)逐年降低的趨勢，CPIA 預(yù)計 2025 年、2030 年 拉棒環(huán)節(jié)單位產(chǎn)能設(shè)備投資較 2021 年分別降低 21%、28%；鑄錠設(shè)備由于其產(chǎn)品多晶硅片市場需求急劇降低，企業(yè)技改動力不足，預(yù)計 2021-2030 年設(shè)備投資成 本維持在 2 萬元/噸。2021 年切片環(huán)節(jié)設(shè)備投資額 20.3 萬元/百萬片，隨著自動 化金剛絲切片設(shè)備技術(shù)的進(jìn)步，CPIA 預(yù)計 2025 年、2030 年切片環(huán)節(jié)設(shè)備投資較 2021 年分別降低 20%、24%。

4. 我國硅片出口在全球占據(jù)主導(dǎo)地位

我國硅片在全球范圍內(nèi)占據(jù)主導(dǎo)地位，硅片出口大于硅片進(jìn)口量，進(jìn)口依賴 度較低。2021 年單晶硅片出口 51071 噸，進(jìn)口 5010 噸，凈出口 46061 噸；多晶 硅片 2021 年市場占有率低于 7%，占比較小。從單月出口結(jié)構(gòu)可以看出，近三年 一季度單晶硅片出口較高，而近五年同期四月份開始單月單晶硅片出口呈現(xiàn)逐月 遞增，主要受下游需求的旺盛的影響。整體來看，近五年單晶硅片累計出口 17 萬 噸，受國內(nèi)光伏電池、組件需求增長的影響，近三年單晶硅硅片出口增速回落， 19 年出口增速 79.6%，2020 年下降至 21.6%，2021 年增速回落至 4.7%。

5. 硅片生產(chǎn)過程、生產(chǎn)成本及利潤

在硅片生產(chǎn)中，直拉法主要生產(chǎn)單晶硅棒，加工制備單晶硅片；鑄錠法主要 生產(chǎn)多晶硅錠，加工制備多晶硅片。

單晶硅市場份額持續(xù)提升：2018 年以前多晶硅片生產(chǎn)成本相比單晶硅生產(chǎn)成 本低，市場硅片主要以多晶硅片為主（占比 50%以上）。2019 年開始，隨著單晶硅 片（技術(shù)+成本優(yōu)勢）光電轉(zhuǎn)換效率比多晶硅片高，且單晶硅片生產(chǎn)成本不斷下降， 單晶硅片市場份額占比不斷提高。預(yù)計2025年單晶硅片市場份額占比將到達(dá)97%， 2030 年單晶硅片市場份額占比有望提升至 98%以上。

晶拉棒電耗：直拉法生產(chǎn)單位合規(guī)單晶硅棒所消耗電量，企業(yè)通過生產(chǎn)技術(shù) 改進(jìn)電耗水平呈現(xiàn)下降態(tài)勢。據(jù)中國光伏協(xié)會統(tǒng)計，2020 年平均電耗 26.2kWh/kg， 2021 年將至 23.9kWh/kg，預(yù)計 2025 年將至 20.9kWh/kg，相比 2021 年降幅 12.5%； 2030 年有望將至 19.5kWh/kg，相比 2021 年降幅 18.4%。

鑄錠電耗：通過定向凝固生產(chǎn)硅錠所消耗的電量。由于多晶硅片市場份額占 比大幅減小，企業(yè)對于多晶錠生產(chǎn)技術(shù)改進(jìn)動力減弱，2021 年鑄錠電耗 6.5 kWh/kg，相比 2020 年微幅下降，預(yù)計至 2025 鑄錠電耗將至 6.3kWh/kg 左右，相 比 2021 年降幅 3%；2030 年鑄錠電耗 6.2kWh/kg 左右，相比 2021 年降幅 4.6%。

拉棒單爐投料：單只干鍋用于多次拉棒生產(chǎn)的總投料量，在干鍋單價和使用 時間一定的條件下，單爐投料數(shù)量越大，越有利于降低成本。2021 年拉棒單爐投 料量 2800kg，較 2020 年提升 47%。隨著單晶硅片市場份額擴大，廠家通過提升拉 棒設(shè)備和工藝，單爐投料有望進(jìn)一步增加，CPIA 預(yù)計 2025 年單爐投料 4000k 左 右，2030 年有望達(dá)到 4600kg 左右。耗硅料（單位硅棒所需多晶硅原料）方面， 拉棒耗硅料維持在 1.06，未來隨著工藝技術(shù)的進(jìn)步，該工藝耗硅料仍在 1.05-1.06 之間變化。

鑄錠投料：單只干鍋最大裝料量。2020-2021 年鑄錠單爐平均投料量維持在 1100kg 左右，主要因為目前鑄錠爐仍以 1100-1200kg，未來隨著低端產(chǎn)能的淘汰， 鑄錠爐有望以 1500kg 左右主流投料量為主。鑄錠耗硅料基本維持在 1.1 左右， 相比拉棒工藝多余 0.4 左右。

耗水量：切片工藝耗水主要集中于脫膠、清洗、切片等設(shè)備，2021 年切片環(huán) 節(jié)耗水量 910t/百萬片，隨著行業(yè)降本增效，2025 年和 2030 年耗水量相較于 2021 年有望分別降低 13%、18%。

出片量：2021 年每公斤單晶方棒出 P 型 166mm 尺寸硅片 64 片（P 型 158mm 尺寸每公斤單晶方棒出片量 70 片，P 型 182mm 尺寸每公斤單晶方棒出片量 53 片， P 型 210mm 尺寸每公斤單晶方棒出片量 40 片），多晶方錠每公斤出片 59 片。隨著 切片用金剛線直徑降低，硅片厚度下降，單位質(zhì)量出片數(shù)增加，加之單晶硅片市 場占有份額逐步提高，預(yù)計 2025 年、2030 年相比 2021 年每公斤單晶方棒出 P 型 166mm 尺寸硅片分別增加 12.5%、22%。；方錠出片量由于多晶硅片市場占有率降 低，基本無變化。

拉棒/鑄錠環(huán)節(jié)人均產(chǎn)出率：2021 年拉棒/鑄錠環(huán)節(jié)人均產(chǎn)出率 23.8t/年/人， 切片人均產(chǎn)出率 1.7 百萬片/年/人，隨著生產(chǎn)設(shè)備智能化、切片效率提高，CPIA 預(yù)計 2025 年、2030 年拉棒/鑄錠環(huán)節(jié)人均產(chǎn)出率較 2021 年分別提高 68%、101%， 預(yù)計 2025 年、2030 年切片人均產(chǎn)出率較 2021 年分別提高 64%、117%。

硅片毛利及成本：2021 年硅片行業(yè)毛利率 16.95%，相比 2020 年行業(yè)毛利上 漲 41%。硅片成本中：硅料成本占比超過 50%，其次是設(shè)備等固定資產(chǎn)折舊占比 12%，隨著硅料產(chǎn)能擴張，以及上述各類非硅成本的下降，預(yù)計未來幾年硅片制造 成本也將逐年遞減，硅片行業(yè)毛利預(yù)計將維持在相對穩(wěn)定的范圍。

化硅片占比提升 1. 中性/樂觀情景下，2030 年全球硅片需求或達(dá)到 233/395GW 2021 年全球光伏新增 183GW，根據(jù) BP 預(yù)測，全球光伏在 2030 年有望增加至 2500-3300GW。2021 年中國光伏新增 54.88GW，中國光伏 在 2030 年有望增加至 1025-1200GW。 在樂觀條件下，推測出全球和中國在2025年光伏新增裝機量分別為254GW、93GW， 2030 年光伏新增裝機量分別為 329GW、121GW；在中性條件下，推測出全球和中國 在 2025 年光伏新增裝機量分別為 165GW、77GW，2030 年光伏新增裝機量分別為 194GW、91GW。 根據(jù)光伏裝機量與光伏組件容配比 1.2 計算，全球光伏硅片在樂觀/中性條 件下，2025 年需求為 305GW/198GW，2030 年需求為 395GW/233GW；中國光伏硅片 在樂觀/中性條件下，2025 年需求 112GW/93GW，2030 年需求 145GW/109GW。（報告來源：未來智庫）

2. 硅片尺寸和厚度需求變化

2.1. 大尺寸硅片占比提高

大尺寸硅片占比提高。當(dāng)前光伏硅片主流尺寸有 5 種，分別為 156.75（M2）、 158.75（G1）、166mm（M6）、182mm(M10)、210mm(G12)。根據(jù) PVinfolink 預(yù)測， 2022-2025 年 182mm 硅片占比分別達(dá)到 38%、41%、37%、30%；210mm 硅片占比分 別達(dá)到 32%、43%、58%、60%，未來逐步形成 182mm 和 210mm 的占比格局。光伏硅 片尺寸變大，不僅能大幅降低硅材料的制造費用，也能夠全面地帶來切片、電池組件的單位面價制造成本，對減低硅片、電池的制造成本，提升產(chǎn)能、材料利用 率和生產(chǎn)效率有重要意義。

2.2. 薄片化硅片占比提高

未來幾年硅片厚度往薄片方向發(fā)展。2021 年，多晶硅片平均厚度 178μm，P 型單晶硅片平均厚度在 170μm，N 型硅片平均厚度 160μm，相比于 2020 年，對 多晶硅片平均厚度降低 2μm，P 型單晶硅片平均厚度降低 5μm，N 型硅片平均厚 度降低 8μm。根據(jù)相關(guān)公司公布的《技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品規(guī)格創(chuàng)新降低硅料成本倡議 書》可知，N 型電池對超薄片的適應(yīng)性更高，相關(guān)機構(gòu)預(yù)測 2025 年 N 型硅片厚度 將降低至 150μm 左右，有望達(dá)到 148 微米，2030 年 N 型硅片厚度有望降低至 130 μm 左右，硅片厚度每降低 10μm，硅片成本降低約 3%。因此，未來幾年硅片厚 度往薄片方向發(fā)展，不僅可以提高電池對硅片的適用性，而且對降低硅片成本有 重要意義。

1. 硅片供需平衡：到 2030 年，全球硅片供需缺口逐步收窄 全球硅片產(chǎn)量從 2022 年開始逐漸寬松。全球硅片在 2017、2018 年存在供需 缺口，供給不足；2019 至 2021 年處于供需緊平衡狀態(tài)。2022 年隨著國內(nèi)硅片原 料企業(yè)的擴產(chǎn)（多晶硅），以及國內(nèi)硅片企業(yè)的擴產(chǎn)，全球硅片產(chǎn)量預(yù)計開始邊際 寬松，供給端擴產(chǎn)的計劃預(yù)計在 2023 年出現(xiàn)停滯。

關(guān)于 2023-2030 年供需平衡推演： 第一種情況，2023 年供給仍過剩，但后期過剩逐步緩解。按供給 2023 年多 晶硅產(chǎn)量供給 142 萬噸，產(chǎn)能 600GW，預(yù)計產(chǎn)量 475GW，若 2023-2030 年全球硅片 每年產(chǎn)量保持 2023 年預(yù)計的硅片產(chǎn)量 475GW，則全球硅片供給仍將過剩，但隨著 下游光伏裝機需求的增加，供給過剩量在 2023 年以后將出現(xiàn)遞減。 第一種情況下：國內(nèi)硅片產(chǎn)量大于硅片消耗量，從最近五年和未來幾年硅片 產(chǎn)量推算出，國內(nèi)硅片除用于國內(nèi)光伏電站裝機以外，剩余一部分可用于硅片出 口，以及用于組件生產(chǎn)、出口。

第二種情況，2023-2030 年供需基本平衡。若 2022 年硅片產(chǎn)量 475GW，產(chǎn)量 過剩 210GW；2023 年硅片產(chǎn)量減產(chǎn)至 100GW，基本可以抵消 2022 年過剩產(chǎn)量； 2024 年產(chǎn)量恢復(fù)至 310GW，以后每年產(chǎn)量遞增 10GW，至 2030 年硅片產(chǎn)量 370GW， 則 2022-2030 年全球硅片供需處于相對平衡的狀態(tài)。 第二種情況下：國內(nèi)硅片產(chǎn)量仍大于硅片消耗量，國內(nèi)硅片除用于國內(nèi)光伏 電站裝機以外，還能剩余一部分，用于硅片出口，以及用于組件生產(chǎn)、出口。

第三種情況，2023-2030 年供需缺口收窄，甚至可轉(zhuǎn)為供不應(yīng)求。若 2023- 2030 年全球硅片平均每年產(chǎn)量保持 325GW，全球硅片在樂觀狀態(tài)裝機下，2023- 2030 年基本可以處于供需緊平衡狀態(tài)；在中性狀態(tài)裝機需求下，硅片產(chǎn)量將過剩。 第三種情況下：國內(nèi)硅片產(chǎn)量仍大于硅片消耗量，國內(nèi)硅片除用于國內(nèi)光伏 電站裝機以外，還能剩余一部分，用于硅片出口，以及用于組件生產(chǎn)、出口。

2. 硅片價格：2023 年價格重心下移

2022 年 1 月至 5 月單晶硅片價出現(xiàn)微幅上周，210 單晶硅片上漲 18.5%、182 單晶硅片上漲 16.9%、166 單晶硅硅片上漲 15.8%，210 年硅片因制備難度和產(chǎn)能 等原因影響，產(chǎn)量有限，同期相比 182、166 單晶硅片價格漲幅較高。同期，多晶 硅片漲幅 50.5%，主要受多晶硅片產(chǎn)量減少的影響。其次，從全球硅片供需平衡 可知，2022 年全球硅片供需開始由 2021 年供需緊平衡，向供需寬松開始轉(zhuǎn)變； 2023 年全球硅片將出現(xiàn)大幅過剩，預(yù)計硅片價格重心將逐步下移。

（本文僅供參考，不代表我們的任何投資建議。如需使用相關(guān)信息，請參閱報告原文。）