觀點(diǎn)總結(jié)：

1、為何2022年TOPCon產(chǎn)業(yè)進(jìn)展較快？ 主要系（1）TOPCon是在PERC路線上的延伸，產(chǎn)業(yè)鏈配套更加成熟。 TOPCon與之前的PERC是在一條主賽道上，TOPCon是在PERC工序的基礎(chǔ)上，增加了隧穿氧化層和多晶硅層制備環(huán)節(jié)，只需對(duì)原有擴(kuò)散爐和PECVD進(jìn)行改造，或者購置LPCVD，即可完成產(chǎn)線升級(jí)，且相關(guān)人才儲(chǔ)備充分；而HJT是革命性技術(shù)從0到1，前期推廣及上下游配套肯定要比TOPCon難。在行業(yè)變革初期階段，邁為以及華晟等電池片新玩家的推動(dòng)力不如晶科等一線廠強(qiáng)，整個(gè)HJT行業(yè)的進(jìn)步需要硅片端&電池片端&組件端的共同努力。 （2）電池片先進(jìn)產(chǎn)能不足，電池片廠擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)力強(qiáng)。 由于2021年硅料價(jià)格上漲，電池片廠盈利能力承壓，2021年擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)力相對(duì)不足（2021年P(guān)ERC擴(kuò)產(chǎn)71GW，TOPCon擴(kuò)產(chǎn)17GW，HJT擴(kuò)產(chǎn)8GW，合計(jì)擴(kuò)產(chǎn)96GW，較2020年的160GW下滑40%），疊加2022年海外需求爆發(fā)+大尺寸硅片產(chǎn)能釋放，三重因素導(dǎo)致2022年大尺寸PERC電池片產(chǎn)能及N型電池片產(chǎn)能嚴(yán)重不足，因此TOPCon電池片廠商盈利能力于2022年大幅修復(fù)，擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)力充足。核心設(shè)備方面，捷佳偉創(chuàng)PECVD、拉普拉斯的LPCVD還有微導(dǎo)納米的AEP設(shè)備2022年實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，并獲得批量量產(chǎn)訂單。

2、我們預(yù)計(jì)電池片頭部大廠將于2023年開啟HJT技術(shù)路線的GW級(jí)擴(kuò)產(chǎn)。 11月19日，隆基綠能自主研發(fā)的硅異質(zhì)結(jié)電池轉(zhuǎn)換效率達(dá)到26.81%，隆基對(duì)該記錄的定義是——是通過可量產(chǎn)設(shè)備、可量產(chǎn)技術(shù)和全硅片大面積創(chuàng)造的。因此我們判斷，隨著HJT降本增效進(jìn)展持續(xù)推進(jìn)，2023年將成為越來越多存量電池片廠商關(guān)注的晶硅電池的解決方案，且各家頭部主流電池片廠將于2023年開啟HJT的GW級(jí)擴(kuò)產(chǎn)。

3、2022年HJT降本增效進(jìn)展符合預(yù)期， 預(yù)計(jì)2022年底基本實(shí)現(xiàn)166電池片和PERC單W制造成本打平，2023年初實(shí)現(xiàn)210電池片和PERC單W制造成本打平： 目前華晟的非硅成本為0.33元/W，預(yù)計(jì)2022年年底可以降到0.28元/W，在同等條件下，PERC技術(shù)的166電池為0.16元/W，即在非硅端兩者相差0.28-0.16=0.12元/W。疊加HJT的薄片化優(yōu)勢(shì)，2022年底基本實(shí)現(xiàn)166電池片和PERC單W制造成本打平，2023年初實(shí)現(xiàn)210電池片和PERC單W制造成本打平。 （1）銀漿方面， HJT銀耗現(xiàn)在主流玩家基本都做到了18mg/w，其中主柵8mg，副柵10mg，0BB后銀耗目標(biāo)下降至12mg/w，銀漿耗量節(jié)約三分之一，0BB設(shè)備預(yù)計(jì)2022年年底可完成可靠性測(cè)試，2023Q1去客戶端中試。 （2）硅片減薄方面， 華晟作為HJT電池片龍頭企業(yè)在2022年6月自建1.8GW的210尺寸的120μm半棒半片切片產(chǎn)能；2022年11月開始，華晟開始與高測(cè)開展切片代工業(yè)務(wù)合作，我們預(yù)計(jì)2022年底，華晟將充分享受薄片化降本加速，而切片代工模式也有望在HJT電池片廠客戶中加速滲透。 （3）去銦化方面 ，AZO靶材助力HJT降本，銦儲(chǔ)量充足不會(huì)制約行業(yè)發(fā)展。邁為股份通過單面AZO對(duì)雙面ITO的替代，將對(duì)應(yīng)的靶材成本從0.325W/片（即0.0478元/W）降低到0.1426/片（即為 0.021元/W），HJT 靶材降本幅度達(dá)到50%以上。 （4） 規(guī)?；当?， 規(guī)模效應(yīng)下生產(chǎn)成本不斷降低，非硅BOM成本中漿料、化學(xué)品、網(wǎng)板、靶材成本均顯著下降。根據(jù)華晟實(shí)證數(shù)據(jù)顯示，2022年1月與7月非硅BOM成本對(duì)比來看，銀漿單耗由0.25元/W降低至0.13元/W，降低49%；化學(xué)品由0.03元/W降低至0.009元/W，降低72%；網(wǎng)板由0.02元/W降低至0.005元/W，降低76%；靶材由0.05元/W降低至0.04元/W，降低25%。

4、HJT擴(kuò)產(chǎn)及邁為市占率超預(yù)期： 2022年HJT擴(kuò)產(chǎn)情況超預(yù)期，年初預(yù)計(jì)全年新增擴(kuò)產(chǎn)20-30GW，邁為股份市占率70%；實(shí)際上邁為2022全年訂單有望達(dá)28GW，市占率進(jìn)一步提升至85%以上，超過此前預(yù)期的70%市占率。我們預(yù)計(jì)邁為2022年HJT設(shè)備+絲印設(shè)備+半導(dǎo)體/OLED設(shè)備新簽訂單合計(jì)超140億，位列光伏設(shè)備行業(yè)增速最快。

5、拉長(zhǎng)時(shí)間周期看，HJT符合是正面效率最高，成本最低，雙面率最高的電池。 2024-2025年的HJT能力展望（基于66版型）：量產(chǎn)效率超過26%；210組件功率超過740W；電池片雙面使用銀包銅，銀占比低至30%；硅片厚度約為100μm；TCO透明導(dǎo)電膜中的銦與非銦疊層技術(shù)路線的比例：銦的疊層小于15%，非銦占85-90%。在這種條件下，HJT電池片的單W成本要比PERC便宜一毛錢甚至更多。最終HJT的天花板會(huì)高于TOPCon，在單W成本上會(huì)有至少7-8分錢的優(yōu)勢(shì)，這樣的差異足以實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)顛覆并吸引大廠擴(kuò)產(chǎn)。

一、增效（雙面微晶、光轉(zhuǎn)膜提高HJT組件輸出功率、電鍍銅增效）

1、雙面微晶實(shí)驗(yàn)室已獲成功，預(yù)計(jì)2022年12月效率達(dá)25.9%，2023年初導(dǎo)入量產(chǎn)

針對(duì)華晟72片166電池片的組件版型，基于相同的組件封裝結(jié)構(gòu)，單面微晶電池片平均效率檔位比非晶高0.9%，雙面微晶電池片平均效率檔位比單面微晶高0.2%。2022年4月效率達(dá)到25.2%；2022年8月底效率達(dá)到最佳批次平均25.4%，最高25.6%。9-10月份研發(fā)線已經(jīng)完成了大概0.3pct的提效，11、12月華晟將再次送檢，估計(jì)可以做到25.9%。雙面微晶量產(chǎn)機(jī)型基本定型，第一家交付是邁為供貨金剛光伏的酒泉的項(xiàng)目，預(yù)計(jì)2022年11月發(fā)貨；華晟雙面微晶預(yù)計(jì)會(huì)在2023年3-4月導(dǎo)入量產(chǎn)。我們預(yù)計(jì)2023年上半年HJT量產(chǎn)轉(zhuǎn)換效率將達(dá)25.5%，通過工藝改善，2023年下半年市場(chǎng)上會(huì)出現(xiàn)26%的量產(chǎn)線。

2、光轉(zhuǎn)膜提高組件功率1.5%，對(duì)應(yīng)組件輸出功率7-10W的提升，超產(chǎn)業(yè)預(yù)期

異質(zhì)結(jié)電池組件隨著紫外光暴曬衰減最大，主要系HJT電池為多層結(jié)構(gòu)，其中一層使用非晶或微晶硅，表面因Si-H基團(tuán)更容易受到紫外線破壞，導(dǎo)致組件效率衰減。以往采用截止性膠膜過濾紫外線，但是實(shí)際紫外線是有用能量，截止型膠膜使得初始功率衰減。賽伍創(chuàng)新性地采用UV光轉(zhuǎn)膜方案可將380nm以下紫外光轉(zhuǎn)換成藍(lán)光（可見光），轉(zhuǎn)換效率≥95%，充分利用光照資源，每塊組件增益1.5%左右。同時(shí)膠膜中光轉(zhuǎn)劑的衰減速度更慢，暴曬情況下，光轉(zhuǎn)劑衰減75%后，仍有90%+的轉(zhuǎn)光效率，賽伍轉(zhuǎn)光膜能夠?qū)崿F(xiàn)＞50年以上的高可靠性。2022年11月11日，賽伍與安徽華晟簽訂10GW訂單。

目前光轉(zhuǎn)膜良率波動(dòng)較大（40-70%），未來有很大的提升空間，預(yù)計(jì)提升至70-80%。原材料方面，轉(zhuǎn)光助劑的原材料完全進(jìn)口，且國(guó)內(nèi)沒有替代的材料供應(yīng)商，因此價(jià)格可能會(huì)隨日本供應(yīng)商產(chǎn)能限制而波動(dòng)。

3、電鍍銅可降本增效，預(yù)計(jì)2024年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

與市場(chǎng)理解有差異的是，不用銀作為接觸導(dǎo)電金屬，電鍍銅可提高電池片光電轉(zhuǎn)換效率。

目前的細(xì)柵線寬42μm，攻克銅電鍍的技術(shù)難點(diǎn)后，比如把線寬做到20μm，大概有0.5pct的提效。線寬做到10μm，還能有0.4-0.5pct的提效，也就是26.3-26.4pct。電鍍銅兩個(gè)核心工藝為圖形化和電鍍， （1）圖形化環(huán)節(jié)光刻or激光需要驗(yàn)證。邁為股份、蘇大維格布局類光刻技術(shù)，芯綦微裝、天準(zhǔn)科技布局激光直寫工藝，帝爾激光布局激光開槽技術(shù)； （2）電鍍環(huán)節(jié)環(huán)保問題和產(chǎn)能問題需要克服。東威科技、太陽井（未上市）、啟威星（未上市）等布局電鍍環(huán)節(jié)。 但電鍍銅工藝復(fù)雜，產(chǎn)線投資額較高（電鍍銅設(shè)備單GW 1億元以上，而絲網(wǎng)印刷機(jī)3000-4000萬/GW），同時(shí)還需要解決電鍍銅污染環(huán)境的問題，我們判斷未來電鍍銅or銀包銅勝出需觀察銀包銅量產(chǎn)和降本的速度。

4、異質(zhì)結(jié)的組件功率有望持續(xù)提高：我們預(yù)計(jì)66片210的HJT組件輸出功率可實(shí)現(xiàn)715W，較TOPCon高30W

以72片166電池片的組件版型為例，目前PERC的組件功率約為560-565W，TOPCon為570-575W，而HJT為585W。未來在疊加光轉(zhuǎn)膜&雙面微晶&鋼網(wǎng)印刷的情況下，HJT組件功率可達(dá)600W。在轉(zhuǎn)光膜產(chǎn)能有限情況下，現(xiàn)在主要應(yīng)用于166電池片，如果2023年光轉(zhuǎn)膜用在210電池片上的話，組件功率能超700W；再加上雙面微晶的話預(yù)計(jì)可突破715W。

二、降本：耗材端降本進(jìn)展符合預(yù)期，預(yù)計(jì)2022年底實(shí)現(xiàn)166電池片和PERC單W制造成本打平，2023年初實(shí)現(xiàn)210電池片和PERC單W制造成本打平

1、硅片降本——是HJT特有的&正在快速進(jìn)步的降本項(xiàng)

HJT更適合薄片化： 不同電池片技術(shù)路線可兼容的薄片化程度不同，主要系薄片化到臨界點(diǎn)，電池片的光電轉(zhuǎn)換效率會(huì)明顯下滑，PERC電池片的臨界點(diǎn)為160μm，TOPCon電池片臨界點(diǎn)為130μm，HJT臨界點(diǎn)為100μm，因此HJT天然更適合薄片。2021年HJT硅片減薄速度較慢，主要系上游硅片廠集中精力囤積資源緊張的硅料，由于下游HJT出貨量較小，硅片廠技術(shù)降本減薄硅片的動(dòng)力不足；2022年開始，薄片化進(jìn)展最快的中環(huán)開始推出130μm的210硅片，但130μm相較150μm減薄了14%，售價(jià)僅降低了4%，因此電池片廠并沒有充分享受到硅片薄片化帶來的降本。在此背景下，華晟作為HJT電池片龍頭企業(yè)在2022年6月自建1.8GW 210半棒半片切片產(chǎn)能；2022年11月開始，華晟開始與高測(cè)開展切片代工業(yè)務(wù)合作，我們預(yù)計(jì)2022年底，華晟將充分享受薄片化降本加速，而切片代工也有望在HJT電池片廠客戶中加速滲透。目前高測(cè)在厚度為120μm的HJT電池片上已實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)，同時(shí)還有具備中試條件的80μm HJT樣片。在專業(yè)切片代工廠的加持下，我們預(yù)計(jì)2023年HJT行業(yè)的N型硅片有望減薄到100μm。

HJT硅棒利用率&良率更高： 半棒半片工藝可為HJT帶來4%的良率提升，且可使HJT的硅棒利用率比TOPCon高6%，此外TOPCon黑芯片問題放大了HJT硅棒利用率優(yōu)勢(shì)，最終HJT可以比TOPCon高出近10%的硅棒利用率。 如果使用相同的硅棒，切同樣的厚度，HJT的硅片收益比Topcon高出幾分錢一瓦，主要原因如下：

（1）HJT的硅棒利用率比Topcon高出6%，良率高4%。 HJT的半棒半片切片方案可以帶來：

①設(shè)備產(chǎn)能損失不到10%；

②硅損不到0.7%；

③電池端的效率可提升0.03-0.05%；

④降低0.3%的電池端碎片率；

⑤在130μm薄片的情況下良率提高近4%。

【其中：降低的0.3%電池端碎片率可以抵消0.4%的硅損，剩下的0.3%硅損還可以被電池端的效率增益部分抵消（即③+④可以基本抵消掉②）；剩下10%的切片機(jī)產(chǎn)能損失微乎其微（即①可忽略不計(jì)），最后算下來可以帶來近4%的良率提升（即最后只剩下⑤）。】

HJT除了可以利用半棒半片工藝帶來4%良率上的收益之外，其優(yōu)勢(shì)還在于：

⑥HJT本身比TOPCon高3%的硅棒利用率；

⑦HJT對(duì)硅片的容忍度比TOPCon要高很多，可用TOPCon的頭尾料進(jìn)行生產(chǎn)，此優(yōu)勢(shì)又可以使HJT提升3%的硅棒利用率。

因此，相較于TOPCon，HJT不僅良率提高了近4%，而且硅棒利用率還比TOPCon高6%（即⑥+⑦）。

此外，TOPCon中邊皮的效率損失至少有0.15-0.2%，而HJT只有0.05%，因此HJT還可以利用邊皮，能夠降低N型復(fù)投料的比例。 如果未來可以為HJT專門做硅片的話，HJT在硅片端比TOPCon每W可以少幾分錢的成本?，F(xiàn)在沒有HJT專用硅片的原因有兩點(diǎn)，一是硅片行業(yè)還比較守舊，二是市場(chǎng)上HJT量少。

（2）TOPCon黑芯片問題放大了HJT硅棒利用率優(yōu)勢(shì)： 目前TOPCon存在黑芯片的問題，黑芯片是指硅片氧含量高且在高溫下氧占位了硅，造成了電池片或組件在EL檢測(cè)時(shí)中心發(fā)黑的現(xiàn)象。現(xiàn)行業(yè)對(duì)TOPCon的黑芯片有容忍度，但在HJT和PERC中是不允許這種不良的，這種不良在目前的TOPCon中占比4-5%。

⑧隨著未來TOPCon對(duì)良率的要求變高，黑芯片會(huì)使得TOPCon比HJT硅棒利用率低3%。

再加上之前的6%，最終HJT可以比TOPCon高出近10%的硅棒利用率（即⑥+⑦+⑧）。

2、銀漿降本——銀包銅&0BB推向銀漿用量在當(dāng)前基礎(chǔ)上再降低40%+

銀包銅： 銀包銅技術(shù)更加適合HJT，主要系HJT是低溫工藝，TOPCon為高溫工藝，在高溫下，銀會(huì)從表面脫離，使得銅顆粒暴露在空氣中，因?yàn)楦邷匮杆傺趸癁檠趸~，氧化銅電阻比銀高得多，容易造成電池片部分區(qū)域失效。2022年年底華晟166的電池片背面副柵部分將全部切換到使用銀包銅技術(shù)，且轉(zhuǎn)換效率不會(huì)受到影響。 預(yù)計(jì)2023年一季度導(dǎo)入雙面銀包銅， 公司正在做雙面導(dǎo)入的優(yōu)化，雙面銀包銅能夠降低金屬化成本5-6分錢/W（單面銀包銅可降低2-3分錢/W）。

0BB： HJT銀耗現(xiàn)在主流玩家基本都做到了18mg/w，主柵8mg，副柵10mg，0BB后銀耗目標(biāo)下降至12mg/w，銀漿耗量節(jié)約三分之一。0BB只是在電池片頭上稍微有點(diǎn)主柵，因?yàn)楹附有枰愃启~叉樣子的東西，中間就沒有了主柵。SMBB166 組件的銀耗量為130mg，很多能做到125mg。0BB主柵銀耗為0，副柵100mg，如果用鋼網(wǎng)的話85mg，鋼網(wǎng)現(xiàn)在也進(jìn)入了中試階段。0BB設(shè)備預(yù)計(jì)2022年年底可完成可靠性測(cè)試，2023Q1去客戶端中試。

HJT量產(chǎn)銀耗量降低分為幾個(gè)階段：

（1）M2 5BB電池，效率22.5%，單片耗量350mg，9BB電池，效率23%，單片耗量250mg；

（2）M6 9BB電池，2020年效率23.5%，單片耗量220mg，2021年效率24%，單片耗量180mg；

（3）M6 12BB電池，2022年3月效率24.5%，單片耗量＜150mg，每w耗量22.3mg；

（4）2022Q3，SMBB+鋼網(wǎng)+專用漿料，單片耗量降低至120mg，每w耗量17.6mg；

（5）2022年H2，背面副柵使用銀包銅漿料，單片銀耗降至100mg，每w耗量14.6mg；

（6）2023年全面應(yīng)用銀包銅漿料結(jié)合0BB技術(shù)，單片耗量降低至70mg，每w耗量10mg；

（7）2024年+，電鍍銅技術(shù)應(yīng)用，全面取代含銀漿料，每w降低為0mg。

3、銦降本——銦不會(huì)制約行業(yè)發(fā)展

（1）AZO靶材幫助行業(yè)靶材環(huán)節(jié)降本50%。 在HJT電池的第三個(gè)環(huán)節(jié)PVD環(huán)節(jié)，是用濺射工藝來生產(chǎn)雙面完全一樣的TCO透明導(dǎo)電膜，需要用的靶材ITO成分為氧化銦和氧化錫的合成物，目前主流技術(shù)是97%氧化銦3%氧化錫和90%氧化銦10%氧化錫，區(qū)別是2方面：1）銦貴錫便宜，9010可以降低銦使用量；2）但973比9010的電池轉(zhuǎn)換效率略高。

綜合看,過去一片電池片需要的靶材是130mg，現(xiàn)在通過設(shè)備PVD的工藝改進(jìn)和靶材回收，做到了降低到90mg。過去ITO用量130mg/片（166尺寸），按照ITO靶材價(jià)格2500元/kg估算，對(duì)應(yīng)靶材成本為0.325元/片（130mg/片*2500元/kg），即0.0478元/W（按照166電池片對(duì)應(yīng)功率為6.8W/片相互轉(zhuǎn)換）

而現(xiàn)在邁為的新工藝是正面還是傳統(tǒng)的ITO，用量為45mg，背面改成新型的AZO（AZO是鋁摻雜的氧化鋅（ZnO）透明導(dǎo)電玻璃的簡(jiǎn)稱），用量也是45mg，那么通過背面工藝的改善，用AZO替代ITO，那么總ITO靶材使用量直接減少了50%，即只有正面的45mg/片。

正面： 45mgITO靶材的成本為0.1125元/片（對(duì)應(yīng)0.0165元/W）【每公斤ITO為2500元,其中包括了純銦（33.6mg）是0.0504元/片即對(duì)應(yīng)0.0074元/W】。

背面： 45mgAZO靶材的成本為對(duì)應(yīng)0.045元/片（對(duì)應(yīng)0.0066元/w）【每公斤AZO為1000元】。

合計(jì)靶材總成本（45mgITO+45mgAZO）約0.1426元/片即為0.021元/W。靶材成本由 0.0478元/W降低到了0.021元/W，降低了50%+。0.021元/W的靶材總成本在2022年底的電池片總成本0.9X元/W中的比重將非常小。

（2）銦的儲(chǔ)量充足，銦不會(huì)制約HJT行業(yè)發(fā)展。 0.021元/W的靶材總成本中，純銦為0.0074元/w,考慮現(xiàn)在ITO靶材主流技術(shù)路線是9010氧化銦vs氧化錫，真實(shí)的銦使用量是只有33.6mg/片（對(duì)應(yīng)4.94mg/W）左右（因?yàn)榧冦熣剂搜趸煹?3%，算法為45mg*90%*83%=33.6mg/片）。且33.6mg每片電池片的銦使用量對(duì)應(yīng)1GW需要5噸銦對(duì)應(yīng)750萬元（4月最新銦價(jià)為150萬元/噸)。根據(jù)靶材企業(yè)壹納光電調(diào)研數(shù)據(jù)估算，按照當(dāng)前全球銦儲(chǔ)量為35.6萬噸，可以在年電池片產(chǎn)能300GW的背景下使用接近400年；或在年電池片產(chǎn)能500GW的背景下使用接近150年。

由此得出結(jié)論，全球銦的儲(chǔ)量充足，不會(huì)成為制約HJT電池技術(shù)發(fā)展的掣肘。

4、規(guī)?；当尽钊菀妆缓鲆?amp;不斷被認(rèn)知

規(guī)模效應(yīng)下生產(chǎn)成本不斷降低，非硅BOM成本中漿料、化學(xué)品、網(wǎng)板、靶材成本均顯著下降。根據(jù)華晟實(shí)證數(shù)據(jù)顯示，2022年1月與7月非硅BOM成本對(duì)比來看，銀漿單耗由0.25元/W降低至0.13元/W，降低49%；化學(xué)品由0.03元/W降低至0.009元/W，降低72%；網(wǎng)板由0.02元/W降低至0.005元/W，降低76%；靶材由0.05元/W降低至0.04元/W，降低25%。

根據(jù)華晟實(shí)證數(shù)據(jù)，2022年1-7月非硅BOM成本持續(xù)下降，1月非硅BOM成本為0.38元/W，7月非硅BOM成本已下降至0.22元/W。